삼성전자가 엔비디아 행사에서 7세대 고대역폭메모리(HBM)의 첫선을 보이며 다시 인공지능(AI) 반도체 격차 벌리기에 나섰다.

삼성전자는 16일 캘리포니아주 새너제이에서 개막한 엔비디아 연례 개발자 회의 'GTC 2026'에 마련한 전시장을 통해 차세대 HBM인 'HBM4E'의 실물 칩과 적층용 칩인 '코어 다이' 웨이퍼를 처음으로 일반에 공개했다.

올 하반기 샘플 출하를 목표로 하는 HBM4E는 핀당 16Gbps(초당 기가비트) 전송 속도와 4.0TB/s(초당 테라바이트) 대역폭을 지원할 예정이다.

이는 지난달 양산 출하를 개시한 최신작 6세대 HBM4의 13Gbps 전송속도와 3.3TB/s 대역폭을 뛰어넘는 수치다.

삼성전자는 HBM4의 양산을 통해 축적한 1c(10나노급 6세대) D램 공정 기반 기술 경쟁력과 삼성 파운드리(반도체 수탁생산)의 4㎚(나노미터) 베이스 다이(HBM 맨 아래 탑재되는 핵심 부품) 설계 역량을 바탕으로 HBM4E 개발을 가속한다는 계획이다.

삼성전자는 HBM4E의 성능에 대해 메모리와 자체 파운드리, 로직 설계, 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 개발하고 있다고 설명했다.

삼성전자가 HBM4의 양산 출하 직후부터 HBM4E을 공개하고 나선 것은 SK하이닉스나 마이크론 등 다른 경쟁사와의 격차를 부각하기 위한 것으로 풀이된다.

특히 삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 히어로 월(Hero Wall)'을 통해 이와 같은 경쟁력이 종합반도체기업(IDM)만의 강점임을 내세웠다.

삼성전자는 또 영상을 통해 열과 압력으로 쌓은 칩을 연결하는 열압착접합(TCB)과 견줘 열 저항을 20% 개선하고 16단 이상 고적층도 지원하는 하이브리드구리접합(HCB) 패키징 기술도 공개했다.

엔비디아와의 협력 관계를 대내외에 과시할 수 있는 전시품도 전면에 배치했다.

엔비디아의 차세대 그래픽처리장치(GPU) '루빈'에 탑재되는 HBM4를 비롯해 중앙처리장치(CPU) '베라'용 소캠(SOCAMM·서버용 저전력 메모리 모듈)2, 기업용 6세대 SSD인 'PM1763' 스토리지 등을 통해 베라 루빈 플랫폼의 모든 메모리를 공급할 수 있다는 점을 부각했다.

한편 송용호 삼성전자 AI센터장은 오는 17일 GTC 엔비디아 특별 초청 발표에 나서 엔비디아의 AI 인프라 혁신을 뒷받침하는 삼성전자 메모리의 '토털 설루션' 비전을 발표할 예정이다.

<연합뉴스>